G3R450MT17J
Symbol Micros:
TG3R450MT17J
Gehäuse:
N-Channel-SiCFET-MOSFET-Transistor; 1700 V; 15V; 585 mOhm; 9A; 91W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 585mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 91W |
| Gehäuse: | TO-263-7 |
| Hersteller: | GeneSiC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1700V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 585mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 91W |
| Gehäuse: | TO-263-7 |
| Hersteller: | GeneSiC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 1700V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 15V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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