G40P03D5
Symbol Micros:
TG40P03D5 GO
Gehäuse: DFN08(5x6)
MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; P-Channel; NO ESD; -30V; -35A; 48W; -1,4 V; 8,5 m?; 11,5 m?
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 48W |
| Gehäuse: | DFN08(5x6) |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 48W |
| Gehäuse: | DFN08(5x6) |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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