G40P03K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG40P03K
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P-30V,RD(MAX)<9.5M@-10V,RD(MAX)< Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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