G45P02D3 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG45P02D3
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P20V,RD(MAX)<9.5M@-4.5V,RD(MAX)< AON7421;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: DFN08(3x3)
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: DFN08(3x3)
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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