G60N10T Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG60N10T
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-220
Zu favoriten hinzufügen
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30; TO-220 FDP3651U;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 132W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 132W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole