G65P06F Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG65P06F
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO-220F
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P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10; TO-220F FQPF47P06; IRFZ44NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Max. Drainstrom: 65A
Gehäuse: TO220F
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 39W
Max. Drainstrom: 65A
Gehäuse: TO220F
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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