G65P06T Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG65P06T
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P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V; TO220 FQP47P06; FCP360N65S3R0; G300P06T GOFORD; G120P06T GOFORD
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 18mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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