G6P06 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG6P06
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P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14; SOP-8 FDS9958; FDFS2P106A; G400P06S GOFORD; G06NP06S2 GOFORD; G2K2P10SE GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,14W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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