G70P02K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG70P02K
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
P15V,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,RD(MAX); TO-252 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole