G7P03L Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG7P03L
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P30V,RD(MAX)<23M@-10V,RD(MAX)<34 AOSP32314
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,9W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,9W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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