G86N06K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TG86N06K
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N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V ,; TO-252 DMT6006LK3; IRFR1018E;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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