GC11N65T Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGC11N65T
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N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4; TO-220 FCP360N65S3R0; GC11N65F TO-220F GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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