GT007N04TL
Symbol Micros:
TGT007N04TL GO
Gehäuse:
MOSFET-Transistor; Maut-8L; N-Channel; NO ESD; 40V; 150A; 156W; 1,5 V; 1,2 m?; 1,6 m?
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 285A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 156W |
| Gehäuse: | TOLL-8L |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 285A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 156W |
| Gehäuse: | TOLL-8L |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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