GT035N06T Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT035N06T
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N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V; TO-220 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 215W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 215W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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