GT045N10M
Symbol Micros:
TGT045N10M GO
Gehäuse: TO263
MOSFET-Transistor; TO-263; N-Channel; NO ESD; 100V; 120A; 180 W; 3V; 3,8 m?;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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