GT045N10T
Symbol Micros:
TGT045N10T GO
Gehäuse: TO220
MOSFET-Transistor; TO-220; N-Channel; NO ESD; 100V; 120A; 180W; 3V; 6mOhm
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 180W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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