GT060N04D3 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT060N04D3
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N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10 AONR66406;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DFN08(3x3)
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 56A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: DFN08(3x3)
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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