GT095N10K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT095N10K
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Zu favoriten hinzufügen
N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-252 SUD70090E; DMNH10H028SK3
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 74W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole