GT100N12T Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT100N12T
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N120V,RD(MAX)<10M@10V,VTH2.5V~3; TO-220 SUP70090E; IPP076N12N3 G
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 70A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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