GT105N10F Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT105N10F
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N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX); TO-220F IRLI540G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO-220F
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 48A
Maximaler Leistungsverlust: 50W
Gehäuse: TO-220F
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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