GT110N06S Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT110N06S
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N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1; SOP-8 TPH14006NH,L1Q; RS3L045GNGZETB
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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