GT52N10D5 Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT52N10D5
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N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1; DFN5*6-8L DMTH10H4M5LPSW; SIR846BDP-T1-RE3; GT095N10D5 GOFORD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: DFN08(5x6)
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 71A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: DFN08(5x6)
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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