GT650N15K Goford Semiconductor

Symbol Micros: TGT650N15K
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N150V,RD(MAX)<65M@10V,VTH2.5V~4. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO-252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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