HGT1S10N120BNS

Symbol Micros: THGT1S10n120bns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 35A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 35A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 6,0V ~ 6,8V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: HGT1S10N120BNST Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
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7200 stk.
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Nettopreis (EUR) 2,1473
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 150nC
Maximale Verlustleistung: 298W
Max. Kollektor-Strom: 35A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 6,0V ~ 6,8V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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