HGTG11N120CND

Symbol Micros: THGTG11n120cnd

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 43A; 80A; 298W; 6,0~6,8V; 150nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	150nC
Maximale Verlustleistung:	298W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	80A
Max. Kollektor-Strom:	43A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	6,0V ~ 6,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG11N120CND RoHS Gehäuse: TO247

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35 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	4,0939	3,6377	3,3626	3,2262	3,1486

Gate-Ladung:	150nC
Maximale Verlustleistung:	298W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	80A
Max. Kollektor-Strom:	43A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	6,0V ~ 6,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT