HGTG12N60A4D

Symbol Micros: THGTG12n60a4d

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom:	54A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-09-04

Anzahl Stück: 30

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom:	54A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT