HGTG12N60A4D

Symbol Micros: THGTG12n60a4d

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 54A; 96A; 167W; 5.6V; 120nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Max. Kollektor-Strom:	54A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	9+	30+	93+
Nettopreis (EUR)	6,4007	5,4281	4,8724	4,5309	4,3543

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HGTG12N60A4D RoHS Gehäuse: TO247

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,2256	4,8111	4,5568	4,4273	4,3543

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	167W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	96A
Max. Kollektor-Strom:	54A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,6V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT