HUF75321P3

Symbol Micros: THUF75321p3
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 34 mOhm; 35A; 93W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: HUF75321S3S; HUF75321D3S;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 93W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: HUF75321P3 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8782 0,6447 0,5162 0,4438 0,4181
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 35A
Maximaler Leistungsverlust: 93W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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