HUF75332P3

Symbol Micros: THUF75332p3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 19mOhm; 60A; 145 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: HUF75332S3ST;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 145W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: HUF75332P3 RoHS Gehäuse: TO220AB  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,0000 0,6651 0,5118 0,4835 0,4764
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Standard-Verpackung:
50/200
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 145W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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