HUF75344P3

Symbol Micros: THUF75344p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 285W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75344P3 RoHS Gehäuse: TO220  
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100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,4922 2,0531 1,8289 1,7985 1,7798
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 8mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 285W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Msx. Drain-Gate Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT