HUF75344P3
Symbol Micros:
THUF75344p
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 285W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 55V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HUF75344P3 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5081 | 2,0661 | 1,8405 | 1,8099 | 1,7911 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 285W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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