HUF75639P3
Symbol Micros:
THUF75639p3
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 25mOhm; 56A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HUF75639P3
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
862 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1154 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: HUF75639P3
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
550 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0884 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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