HUF75639P3

Symbol Micros: THUF75639p3

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 25mOhm; 56A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	25mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75639P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

212 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0333

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75639P3 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0086

Widerstand im offenen Kanal:	25mOhm
Max. Drainstrom:	56A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT