HUF75645P3

Symbol Micros: THUF75645p3
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF75645P3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4344 1,8687 1,5893 1,5541 1,5212
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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