HUF76423P3

Symbol Micros: THUF76423p3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: HUF76423P3 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9222 0,5849 0,4599 0,4198 0,4010
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF76423P3 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6133
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: HUF76423P3 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5986
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT