HUF76423P3

Symbol Micros: THUF76423p3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: HUF76423P3 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9179 0,5822 0,4578 0,4179 0,3991
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 85W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT