HUF76639S3ST

Symbol Micros: THUF76639s3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Trans MOSFET N-CH 100V 51A (HUF76639P3 TO220AB *OBSOLETE)
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 180W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD