HY3906P HUAYI

Symbol Micros: THY3906p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 190A; 4mOhm; 220 W; -55 °C ~ 175 °C; Ähnlich zu: IRFB3306PBF; IRFB3306GPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HY3906P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1691 0,8921 0,7371 0,6479 0,6151
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 190A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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