HYG020N04NR1P HUAYI

Symbol Micros: THYG020n04nr1p

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,4mOhm
Max. Drainstrom:	200A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	25V

Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG020N04NR1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,0000	0,6651	0,5513	0,4966	0,4761

Widerstand im offenen Kanal:	2,4mOhm
Max. Drainstrom:	200A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT