HYG020N04NR1P HUAYI
Symbol Micros:
THYG020n04nr1p
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 25V; 220A; 2,4mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 200A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole