HYG023N04LS1B HUAYI

Symbol Micros: THYG023n04ls1b
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 170A; 3,5mOhm; 150W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG023N04LS1B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9859 0,6557 0,5425 0,4882 0,4694
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 3,5mOhm
Max. Drainstrom: 170A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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