HYG028N10NS1P HUAYI
Symbol Micros:
THYG028n10ns1p
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 230A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 230A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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