HYG028N10NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG028n10ns1p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 230A; 3,3mOhm; 300W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 230A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG028N10NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5307 1,1321 0,9882 0,9387 0,9010
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Standard-Verpackung:
20/50
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 230A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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