HYG035N10NS2B HUAYI

Symbol Micros: THYG035n10ns2b

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	220W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG035N10NS2B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

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Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,3771	1,0510	0,8703	0,7624	0,7249

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	220W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD