HYG035N10NS2B HUAYI

Symbol Micros: THYG035n10ns2b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG035N10NS2B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
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Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3711 1,0464 0,8666 0,7591 0,7217
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD