HYG035N10NS2P HUAYI

Symbol Micros: THYG035n10ns2p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 180A; 4mOhm; 220W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG035N10NS2P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1777 0,8246 0,7016 0,6401 0,6196
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20/100
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 220W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole