HYG042N10NS1B HUAYI

Symbol Micros: THYG042n10ns1b

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	160A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG042N10NS1B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2675	0,8877	0,7548	0,6907	0,6670

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	160A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD