HYG042N10NS1B HUAYI
Symbol Micros:
THYG042n10ns1b
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 160A; 4,2mOhm; 200W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 160A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 160A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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