HYG053N10NS1B HUAYI

Symbol Micros: THYG053n10ns1b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 187,5W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG053N10NS1B RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8099 0,5094 0,4226 0,3756 0,3521
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 187,5W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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