HYG053N10NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG053n10ns1p
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 187,5W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG053N10NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9175 0,5755 0,4505 0,4245 0,3986
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 5,5mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 187,5W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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