HYG053N10NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG053n10ns1p

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	187,5W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG053N10NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9233	0,6860	0,5103	0,4272	0,4011

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	187,5W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT