HYG053N10NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG053n10ns1p

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 120A; 5,5mOhm; 187,5W; -55°C ~ 175°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	187,5W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG053N10NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	2+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8861	0,6583	0,4897	0,4100	0,3850

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	187,5W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT