HYG065N03LR1D HUAYI

Symbol Micros: THYG065n03lr1d
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 55A; 10,9mOhm; 42W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10,9mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG065N03LR1D RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,2994 0,1910 0,1342 0,1141 0,1085
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 10,9mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 42W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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