HYG065N07NS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG065n07ns1p

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 70V; 20V; 100A; 6,5mOhm; 125W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF3205PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG065N07NS1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

75 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7595	0,4764	0,3727	0,3514	0,3302

Widerstand im offenen Kanal:	6,5mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	70V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT