HYG065N15NS1W HUAYI
Symbol Micros:
THYG065n15ns1w
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 165A; 7,5mOhm; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 165A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 165A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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