HYG090N06LS1P HUAYI

Symbol Micros: THYG090n06ls1p

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 62A; 15,5mOhm; 75W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLZ44PBF; IRLZ44NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15,5mOhm
Max. Drainstrom:	62A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	15,5mOhm
Max. Drainstrom:	62A
Maximaler Leistungsverlust:	75W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HUAYI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT