HYG180N10LS1S HUAYI

Symbol Micros: THYG180n10ls1s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 9A; 26mOhm; 4,6W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 4,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG180N10LS1S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4576 0,2783 0,2132 0,1925 0,1830
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 4,6W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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