HYG210N06LA1S HUAYI

Symbol Micros: THYG210n06la1s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9A; 23mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF7478PBF; IRF7478TRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG210N06LA1S RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4421 0,2908 0,2080 0,1818 0,1704
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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