HYG210P06LQ1P HUAYI

Symbol Micros: THYG210p06lq1p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45A; 34mOhm; 107W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRF4905PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HUAYI Hersteller-Teilenummer: HYG210P06LQ1P RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0758 0,7156 0,5917 0,5332 0,5122
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Standard-Verpackung:
20/100
Widerstand im offenen Kanal: 34mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO220
Hersteller: HUAYI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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