HYG350N06LA1D HUAYI
Symbol Micros:
THYG350n06la1d
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 26A; 44mOhm; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Ähnlich zu: IRLR024PBF; IRLR024TRLPBF; IRLR024TRPBF; IRLR024NPBF; IRLR024NTRLPBF; IRLR024NTRPBF; IRLR024NTRRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 26A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42,8W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 26A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42,8W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | HUAYI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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